Электроника и схемотехника

Эта характеристика при Uкб=0 подобна вольт-амперной характеристике полупроводникового диода, смещенного в прямом направлении. При малых Ucи расширение запирающего слоя незначительно. Обычно n n p p или p p n n (в 100 – 1000 раз) – такие переходы несимметричны. Его усилительные свойства обусловлены потоком основных носителей заряда одного знака (униполярный), протекающими через проводящий канал (канальный). Наступает своеобразное динамическое равновесие: увеличение тока стока вызывает увеличение падения напряжения на р-п переходе и сужение канала, которое уменьшает ток стока. Оба перехода смещены в прямом направлении (, ). Напряжения на переходах малы, остаточное напряжение близко к нулю.

Электроника и схемотехника

Обычно n n p p или p p n n (в 100 – 1000 раз) – такие переходы несимметричны. Его усилительные свойства обусловлены потоком основных носителей заряда одного знака (униполярный), протекающими через проводящий канал (канальный). Наступает своеобразное динамическое равновесие: увеличение тока стока вызывает увеличение падения напряжения на р-п переходе и сужение канала, которое уменьшает ток стока. Оба перехода смещены в прямом направлении (, ). Напряжения на переходах малы, остаточное напряжение близко к нулю. Область образовавшихся неподвижных пространственных зарядов (ионов) называется областью р–n-перехода . В этой области концентрации основных носителей зарядов понижены, следовательно удельное сопротивление р–n- перехода выше, чем вдали от перехода. Транзистор может включаться по схемам ОЭ, ОК, ОБ. Режим запирания (отсечки) осуществляется подачей на вход транзистора напряжения положительной полярности (согласно стрелке на рис. 10.13) U вх 0. Эмиттерный переход под действием этого напряжения запирается и его ток равен 0. Вместе с тем через резистор R б протекает обратный (тепловой) ток коллекторного перехода I к0 . Этому режиму на выходных характеристиках транзистора соответствует точка М з (рис. 10.13). Биполярными они называются, так как играют роль оба типа носителей: электроны и дырки.

Электроника и схемотехника

При малых Ucи расширение запирающего слоя незначительно. Обычно n n p p или p p n n (в 100 – 1000 раз) – такие переходы несимметричны. Его усилительные свойства обусловлены потоком основных носителей заряда одного знака (униполярный), протекающими через проводящий канал (канальный). Наступает своеобразное динамическое равновесие: увеличение тока стока вызывает увеличение падения напряжения на р-п переходе и сужение канала, которое уменьшает ток стока. Оба перехода смещены в прямом направлении (, ). Напряжения на переходах малы, остаточное напряжение близко к нулю. Область образовавшихся неподвижных пространственных зарядов (ионов) называется областью р–n-перехода . В этой области концентрации основных носителей зарядов понижены, следовательно удельное сопротивление р–n- перехода выше, чем вдали от перехода. Транзистор может включаться по схемам ОЭ, ОК, ОБ. Режим запирания (отсечки) осуществляется подачей на вход транзистора напряжения положительной полярности (согласно стрелке на рис. 10.13) U вх 0. Эмиттерный переход под действием этого напряжения запирается и его ток равен 0. Вместе с тем через резистор R б протекает обратный (тепловой) ток коллекторного перехода I к0 . Этому режиму на выходных характеристиках транзистора соответствует точка М з (рис. 10.13). Биполярными они называются, так как играют роль оба типа носителей: электроны и дырки. Известно, что электропроводность полупроводника зависит от наличия примесей, которые могут быть двух видов: акцепторные и донорные. Транзисторы с металлической базой. Iбн.

Наступает своеобразное динамическое равновесие: увеличение тока стока вызывает увеличение падения напряжения на р-п переходе и сужение канала, которое уменьшает ток стока. Оба перехода смещены в прямом направлении (, ). Напряжения на переходах малы, остаточное напряжение близко к нулю. Область образовавшихся неподвижных пространственных зарядов (ионов) называется областью р–n-перехода . В этой области концентрации основных носителей зарядов понижены, следовательно удельное сопротивление р–n- перехода выше, чем вдали от перехода. Транзистор может включаться по схемам ОЭ, ОК, ОБ. Режим запирания (отсечки) осуществляется подачей на вход транзистора напряжения положительной полярности (согласно стрелке на рис. 10.13) U вх 0. Эмиттерный переход под действием этого напряжения запирается и его ток равен 0. Вместе с тем через резистор R б протекает обратный (тепловой) ток коллекторного перехода I к0 . Этому режиму на выходных характеристиках транзистора соответствует точка М з (рис. 10.13). Биполярными они называются, так как играют роль оба типа носителей: электроны и дырки.

Его усилительные свойства обусловлены потоком основных носителей заряда одного знака (униполярный), протекающими через проводящий канал (канальный). Наступает своеобразное динамическое равновесие: увеличение тока стока вызывает увеличение падения напряжения на р-п переходе и сужение канала, которое уменьшает ток стока. Оба перехода смещены в прямом направлении (, ). Напряжения на переходах малы, остаточное напряжение близко к нулю. Область образовавшихся неподвижных пространственных зарядов (ионов) называется областью р–n-перехода . В этой области концентрации основных носителей зарядов понижены, следовательно удельное сопротивление р–n- перехода выше, чем вдали от перехода.

Электроника и схемотехника

  • Науковедение инновации онд
  • Www sitereferatov ru
  • Безопасность жизнедеятельности бжд
  • Аза ша рефераттар
  • Ресурсно ориентированное обучение
  • Галилей галилео доклад
  • Реферат эксимерные лазеры
  • Техника xvii века
  • Шк льн твори
  • Филасофский поиск истины
  • Свой рисунок Оплата и доставка Контакты Размеры Оплатить Опт Отзывы ЧаВо Блог